采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：wanqunsheng
4_10kV三相干式非晶合金变压器专用技术规范
上传时间： 2013-11-20
上传用户：JamesB
~{JGR 8vQ IzWwR5SC5D2V?bD#DbO5M3~} ~{3v?b~} ~{Hk?b~} ~{2iQ/5H9&D\~} ~{?IRTWw@)3d~} ~{TZ~}JDK1.4.2~{OBM(9}~}
上传时间： 2015-02-22
上传用户：ommshaggar
b to b 模式 电子商务系统 ，c# 开发 , B/S结构
上传时间： 2014-01-20
上传用户：hanli8870
非晶材料所用资料，为日本科学家这几年的研究成果。
上传时间： 2016-02-08
上传用户：我们的船长
a XOR b> a,然后a XOR b< b,and both a and b are dependent data
上传时间： 2014-01-27
上传用户：yxgi5
樣板 B 樹 ( B - tree ) 規則 : (1) 每個節點內元素個數在 [MIN,2*MIN] 之間, 但根節點元素個數為 [1,2*MIN] (2) 節點內元素由小排到大, 元素不重複 (3) 每個節點內的指標個數為元素個數加一 (4) 第 i 個指標所指向的子節點內的所有元素值皆小於父節點的第 i 個元素 (5) B 樹內的所有末端節點深度一樣
上传时间： 2017-05-14
上传用户：日光微澜
欧几里德算法：辗转求余 原理: gcd(a,b)=gcd(b,a mod b) 当b为0时,两数的最大公约数即为a getchar()会接受前一个scanf的回车符
上传时间： 2014-01-10
上传用户：2467478207
数据结构课程设计 数据结构B+树 B+ tree Library
上传时间： 2013-12-31
上传用户：semi1981
描述了铁基非晶磁性材料的特性与应用 提出了新型导磁材料替代传统硅钢片的优势
上传时间： 2016-09-01
上传用户：苍山观海
